
X 射线光电子能谱(XPS)通过测量光电子结合能识别样品表层 10 nm 内的元素组成与化学态,是表面化学分析的核心手段,可鉴别同一元素的不同价态(如 C-C / C-O / COOH、Cr³⁺ / Cr⁶⁺)。 本平台配备单色化 Al Kα 源与超高真空系统,支持点分析、微区成像(面扫)与 Ar 离子溅射深度剖析;荷电校正以 C 1s = 284.8 eV 为基准(可按样品指定)。 交付原始谱数据(.vms/.xy)、元素定量表(原子百分比)、化学态分峰拟合图与测试报告;深度剖析另附溅射时间-浓度剖面。
样品表面需保持洁净、无挥发物;片状样品厚度不超过 5 mm、尺寸不超过 10 mm × 10 mm;粉体样品约 20 mg(压片或导电胶固定)。
锂电池正极表面 SEI 膜成分分析;催化剂表面活性价态鉴定;高分子材料表面改性效果验证;半导体薄膜掺杂与氧化层分析。
XPS 能测到多深?
常规探测深度约 10 nm(信息深度为光电子逃逸深度的 3 倍以内)。需要更深层信息时可做 Ar 离子溅射深度剖析,按溅射时间逐层剥蚀采集。
如何区分同一元素的不同化学态?
不同化学态的结合能存在化学位移(通常 0.5-3 eV),我们使用单色化源并做分峰拟合,报告中给出各组分百分比与参考标准结合能。
